近日,德国汽车半导体龙头企业英飞凌科技宣布,推出业内首款LPDDR闪存—Infineon SEMPER X1,以实现满足下一代汽车E/E架构的新需求。据了解,这款存储芯片的性能是当前与NOR闪存相比性能大幅提高的8倍,通过其LPDDR接口可实现提供3.2GB/秒的吞吐量,实时应用的随机读取速度提高了20倍。目前,该产品正在进行采样,预计将于2024年上市。
近日,德国汽车半导体龙头企业英飞凌科技宣布,推出业内首款LPDDR闪存—Infineon SEMPER X1,以实现满足下一代汽车E/E架构的新需求。据了解,这款存储芯片的性能是当前与NOR闪存相比性能大幅提高的8倍,通过其LPDDR接口可实现提供3.2GB/秒的吞吐量,实时应用的随机读取速度提高了20倍。目前,该产品正在进行采样,预计将于2024年上市。

当前汽车市场火爆,汽车存储行业也得到了结构性增长,为了提高系统的智能性、连接性和复杂性,对于片外存储的需求越来越高。另外,越来越多的应用场景要基于高性能的处理单元,驱动类MCU、GPU、MPU、SoC等对程序和参数的存储需求,FPGA对结构化数据的存储需求都在提高。因此,传统的xSPI NOR闪存已无法满足用户的需求。
据介绍,为了满足汽车区域架构的新需求,英飞凌借鉴了已有10年历史的LPDRR4 DRAM的LPDDR接口方案,并将其应用于闪存当中。
半导体市场研究公司Objective Analysis总经理Jim Handy表示:“随着半自动驾驶汽车的发展,汽车中的区域控制器越来越多,这些区域控制器对于实时计算有更高的需求,可以提高车辆的可靠性和安全性。英飞凌的LPDDR闪存可以很好地满足下一代汽车的这些需求,实现了比xSPI NOR闪存更高的性能。”
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